АС1К4М16ПЛ-70БИН
![качество [#varpname#] завод](/images/load_icon.gif){kind=icon}
производитель:
Союзничество Память, Inc.
Описание:
IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 49FBGA
Категория:
Память
Спецификации
Категория:
Интегрированные схемы (IC)
Память
Память
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Поднос
Серия:
-
DigiKey программируемый:
Не подтверждено
Интерфейс памяти:
Параллельно
Напишите время цикла - слово, страница:
-
Пакет изделий поставщика:
49-FBGA (4x4)
Тип памяти:
Летучие
Мфр:
Союзничество Память, Inc.
Размер памяти:
64 Мбит
Напряжение - питание:
1.7V ~ 1.95V
Время доступа:
70 нс
Пакет / чемодан:
49-WFBGA
Организация памяти:
4 М х 16
Операционная температура:
-30°C | 85°C (TC)
Технологии:
PSRAM (псевдо SRAM)
Номер базовой продукции:
AS1C4M16
Формат памяти:
PSRAM
Введение
PSRAM (Pseudo SRAM) Память IC 64Mbit Parallel 70 ns 49-FBGA (4x4)
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
АС4К8М16СА-6БИН
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C256M16D3LC-12BCN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
АС4К64М8Д2-25БЦН
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C32M16D3-12BCNTR
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
АС4К512М8Д3ЛК-12БАН
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
AS7C31026B-20JCN
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS4C4M16SA-6BANTR
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS7C34096A-20ДЖИН
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
АС4К128М16Д3Л-12БАН
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
АС4К512М16Д3ЛА-10БИН
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
АС4К8М16СА-6БИН |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
|
|
|
|
AS4C256M16D3LC-12BCN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
АС4К64М8Д2-25БЦН |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
|
|
|
|
AS4C32M16D3-12BCNTR |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
АС4К512М8Д3ЛК-12БАН |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
|
|
|
|
AS7C31026B-20JCN |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
|
|
|
|
AS4C4M16SA-6BANTR |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
|
|
|
|
AS7C34096A-20ДЖИН |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
|
|
|
|
АС4К128М16Д3Л-12БАН |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
|
|
|
|
АС4К512М16Д3ЛА-10БИН |
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
|
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: