АС6К2016-55БИН
![качество [#varpname#] завод](/images/load_icon.gif){kind=icon}
производитель:
Союзничество Память, Inc.
Описание:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA
Категория:
Память
Спецификации
Категория:
Интегрированные схемы (IC)
Память
Память
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Поднос
Серия:
-
DigiKey программируемый:
Не подтверждено
Интерфейс памяти:
Параллельно
Напишите время цикла - слово, страница:
55 нс
Пакет изделий поставщика:
48-TFBGA (6x8)
Тип памяти:
Летучие
Мфр:
Союзничество Память, Inc.
Размер памяти:
2 Мбит
Напряжение - питание:
2.7V ~ 5.5V
Время доступа:
55 нс
Пакет / чемодан:
48-TFBGA
Организация памяти:
128K x 16
Операционная температура:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Технологии:
SRAM - асинхронная
Номер базовой продукции:
AS6C2016
Формат памяти:
SRAM
Введение
SRAM - Асинхронная память IC 2Mbit Parallel 55 ns 48-TFBGA (6x8)
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
АС4К8М16СА-6БИН
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C256M16D3LC-12BCN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
АС4К64М8Д2-25БЦН
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C32M16D3-12BCNTR
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
АС4К512М8Д3ЛК-12БАН
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
AS7C31026B-20JCN
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS4C4M16SA-6BANTR
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS7C34096A-20ДЖИН
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
АС4К128М16Д3Л-12БАН
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
АС4К512М16Д3ЛА-10БИН
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
АС4К8М16СА-6БИН |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
|
|
|
|
AS4C256M16D3LC-12BCN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
АС4К64М8Д2-25БЦН |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
|
|
|
|
AS4C32M16D3-12BCNTR |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
АС4К512М8Д3ЛК-12БАН |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
|
|
|
|
AS7C31026B-20JCN |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
|
|
|
|
AS4C4M16SA-6BANTR |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
|
|
|
|
AS7C34096A-20ДЖИН |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
|
|
|
|
АС4К128М16Д3Л-12БАН |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
|
|
|
|
АС4К512М16Д3ЛА-10БИН |
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
|
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: