RMLV0816BGBG-4S2#AC0
![качество [#varpname#] завод](/images/load_icon.gif){kind=icon}
производитель:
Электроника Rochester, LLC
Описание:
RMLV0816BGB - 8 Мб продвинутый LPSRA
Категория:
Память
Спецификации
Категория:
Интегрированные схемы (IC)
Память
Память
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Интерфейс памяти:
Параллельно
Напишите время цикла - слово, страница:
45ns
Пакет изделий поставщика:
48-TFBGA (7,5x8,5)
Тип памяти:
Летучие
Мфр:
Электроника Rochester, LLC
Размер памяти:
8 Мбит
Напряжение - питание:
2.7V ~ 3.6V
Пакет / чемодан:
48-TFBGA
Организация памяти:
512K x 16
Операционная температура:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Технологии:
SRAM - асинхронная
Время доступа:
45 нс
Формат памяти:
SRAM
Введение
SRAM - Асинхронная память IC 8Mbit Parallel 45 ns 48-TFBGA (7.5x8.5)
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
S25FL128SDPMFIG00
S25FL128S - (16-MB), 3.0 V FL-L
RMLV0808BGSB-4S2#AA0
R5F51305BDFP#50 - 8Mb Advanced L
RMWV6416AGSA-5S2#AA0
RMWV6416AGS - 64Mb Advanced LPSR
RMLV0414EGSB-4S2#HA1
RMLV0414EGS - 4Mb Advanced LPSRA
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
S25FL128SDPMFIG00 |
S25FL128S - (16-MB), 3.0 V FL-L
|
|
|
|
RMLV0808BGSB-4S2#AA0 |
R5F51305BDFP#50 - 8Mb Advanced L
|
|
|
|
RMWV6416AGSA-5S2#AA0 |
RMWV6416AGS - 64Mb Advanced LPSR
|
|
|
|
RMLV0414EGSB-4S2#HA1 |
RMLV0414EGS - 4Mb Advanced LPSRA
|
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: