70Т633С10ВС8
![качество [#varpname#] завод](/images/load_icon.gif){kind=icon}
производитель:
Renesas Electronics America Inc.
Описание:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA
Категория:
Память
Спецификации
Категория:
Интегрированные схемы (IC)
Память
Память
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
DigiKey программируемый:
Не подтверждено
Интерфейс памяти:
Параллельно
Напишите время цикла - слово, страница:
10ns
Пакет изделий поставщика:
256-CABGA (17x17)
Тип памяти:
Летучие
Мфр:
Renesas Electronics America Inc.
Размер памяти:
9Mbit
Напряжение - питание:
2.4V | 2.6V
Время доступа:
10 нс
Пакет / чемодан:
256-LBGA
Организация памяти:
512K x 18
Операционная температура:
0°C ~ 70°C (TA)
Технологии:
SRAM - двойной порт, асинхронный
Номер базовой продукции:
70T633
Формат памяти:
SRAM
Введение
SRAM - двойной порт, асинхронная память IC 9Mbit Parallel 10 ns 256-CABGA (17x17)
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: