Фильтры
Фильтры
Память
| Изображение | Часть # | Описание | производитель | Запасы | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![качество [#varpname#] завод](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
МТ3Т5Т5Т5Т5Т5Т5Т5Т5Т5Т5 |
IC DRAM 8GBIT LPDDR4 TFBGA
|
Микрон Технология Inc.
|
|
|
|
|
|
С29ГЛ128С13ФАЕВ13 |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
W971GG8NB25I |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
W25Q64JVSSIQ TR |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
CY7C056V-15BBC |
IC SRAM 576KBIT PARALLEL 172FBGA
|
Cypress Полупроводник Corp
|
|
|
|
|
|
SST39VF200A-70-4I-MAQE |
IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48WFBGA
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
24LC02B-E/ST |
IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOP
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
70В3389С5БФ |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
ИС46Р16320Д-5ТЛА1 |
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
|
ISSI, интегрированное решение Inc кремния
|
|
|
|
|
|
ИС43ТР16640КЛ-107МБЛ |
IC DRAM 1GBIT PAR 96TWBGA
|
ISSI, интегрированное решение Inc кремния
|
|
|
|
|
|
S-24C08DI-M5T1U5 |
IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ SOT23-5
|
ABLIC Inc.
|
|
|
|
|
|
НВ24С32УВЛТ2Г |
IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ US8
|
на полу
|
|
|
|
|
|
МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ3МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4МТ4 |
LPDDR4 24G 768MX32 FBGA QDP
|
Микрон Технология Inc.
|
|
|
|
|
|
МТ2С2С2С2С2 |
ПАРАЛЛЕЛЬ 78FBGA ДРАХМЫ 8GBIT IC
|
Микрон Технология Inc.
|
|
|
|
|
|
ИС45С16800Ф-7ТЛА1 |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
|
ISSI, интегрированное решение Inc кремния
|
|
|
|
|
|
AS4C4M16SA-6TCN |
РАВЕНСТВО 54TSOP II ДРАХМЫ 64MBIT IC
|
Союзничество Память, Inc.
|
|
|
|
|
|
ИС42С16100Х-7БЛИ-ТР |
IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
|
ISSI, интегрированное решение Inc кремния
|
|
|
|
|
|
70Т3509МС133БПГИ |
IC SRAM 36MBIT PAR 256CABGA
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
24LC1026-I/SN |
IC EEPROM 1MBIT I2C 400KHZ 8SOIC
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
GS82582Q37GE-400I |
IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA
|
GSI Technology Inc.
|
|
|
|
|
|
МТ2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2С2 |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
|
Микрон Технология Inc.
|
|
|
|
|
|
W25Q256JVBIM ТР |
IC FLASH 256MBIT SPI 24TFBGA
|
Уинбонд Электроника
|
|
|
|
|
|
S29GL01GT12TFN010 |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SST39WF1602-70-4I-MAQE-T |
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48WFBGA
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
71В424С15ПХГ |
IC SRAM 4MB PARALLEL 44TSOP II
|
IDT, интегрированная технология Inc прибора
|
|
|
|
|
|
71В67703С85БКИ8 |
IC SRAM 9MBIT PAR 87MHZ 165CABGA
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
SST39SF020A-70-4I-NHE-T |
IC FLASH 2MBIT PARALLEL 32PLCC
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
FEMC016GTTG7-T13-27 |
IC FLASH 128GBIT EMMC 100FBGA
|
Flexxon Pte Ltd.
|
|
|
|
|
|
МТ4О512М8SA-075:F |
DDR4 4G 512MX8 FBGA
|
Микрон Технология Inc.
|
|
|
|
|
|
S25FL256SAGBHID10 |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
S29GL512P10FFIR10 |
S29GL512P - 512Mbit, 3V, страница F
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
AT24CM02-SSHD-B |
IC EEPROM 2MBIT I2C 1MHZ 8SOIC
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
AT24C08D-PUM |
IC EEPROM 8KBIT I2C 1MHZ 8DIP
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
AT25DF512C-МАН-Т |
IC FLASH 512KBIT SPI 8UDFN
|
Дизайн Германия Renesas ГмбХ
|
|
|
|
|
|
AT24C01D-SSHM-T |
IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
S25FL128SAGBHVB00 |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24BGA
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
ИС64ВВ51216БЛЛ-10МЛА3 |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA
|
ISSI, интегрированное решение Inc кремния
|
|
|
|
|
|
МТ2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М2М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3М3 |
LPDDR5 64G 2GX32 FBGA
|
Микрон Технология Inc.
|
|
|
|
|
|
ИС42С81600Ф-6ТЛ |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
|
ISSI, интегрированное решение Inc кремния
|
|
|
|
|
|
24FC512-I/ST14 |
IC EEPROM 512KBIT I2C 14TSSOP
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
71В547С80ПФГ8 |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
CY7C1051H30-10BV1XET |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
DS1230AB-120+ |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
|
Analog Devices Inc./Maxim Integrated (Анологические устройства и т.д.)
|
|
|
|
|
|
AT25SF081B-SSHB-B |
ВСПЫШКА 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC IC
|
Дизайн Германия Renesas ГмбХ
|
|
|
|
|
|
S25FL128SAGBHV303 |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24BGA
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
AT24C01D-МАХМ-Е |
IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8UDFN
|
Технология микрочипов
|
|
|
|
|
|
ИС61НВП409618Б-250Б3Л |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165TFBGA
|
ISSI, интегрированное решение Inc кремния
|
|
|
|
|
|
БР24Г256Ф-3ГТЭ2 |
IC EEPROM 256KBIT I2C 8SOP
|
ROHM полупроводник
|
|
|
|
|
|
IS25LP512M-RMLE |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
|
ISSI, интегрированное решение Inc кремния
|
|
|
|
|
|
S25FL064LABNFI013 |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
Infineon Technologies
|
|
|