W971GG8NB25I ТР
![качество [#varpname#] завод](/images/load_icon.gif){kind=icon}
производитель:
Уинбонд Электроника
Описание:
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
Категория:
Память
Спецификации
Категория:
Интегрированные схемы (IC)
Память
Память
Размер памяти:
1Gbit
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
DigiKey программируемый:
Не подтверждено
Интерфейс памяти:
SSTL_18
Напишите время цикла - слово, страница:
15 нс
Пакет изделий поставщика:
60-VFBGA (8х9,5)
Тип памяти:
Летучие
Мфр:
Уинбонд Электроника
Частота работы часов:
400 МГц
Напряжение - питание:
1.7V ~ 1.9V
Время доступа:
57.5 нс
Пакет / чемодан:
60-VFBGA
Организация памяти:
128M x 8
Операционная температура:
-40 °C ~ 95 °C (TC)
Технологии:
SDRAM - DDR2
Номер базовой продукции:
W971GG8
Формат памяти:
DRAM
Введение
SDRAM - DDR2 Память IC 1Gbit SSTL_18 400 MHz 57,5 нс 60-VFBGA (8x9,5)
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
W29N02KVBIAE ТР
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E ТР
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I ТР
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG ТР
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I ТР
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 ТР
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E ТР
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512ГВЕЙГ
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
W979H6KBVX2I ТР
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE ТР |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E ТР |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I ТР |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG ТР |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I ТР |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 ТР |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E ТР |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W25N512ГВЕЙГ |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W979H6KBVX2I ТР |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
|
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: