W29N02KVBIAE ТР
![качество [#varpname#] завод](/images/load_icon.gif){kind=icon}
производитель:
Уинбонд Электроника
Описание:
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
Категория:
Память
Спецификации
Категория:
Интегрированные схемы (IC)
Память
Память
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Лента и катушка (TR)
Серия:
-
DigiKey программируемый:
Не подтверждено
Интерфейс памяти:
ONFI
Напишите время цикла - слово, страница:
25ns
Пакет изделий поставщика:
63-VFBGA (9x11)
Тип памяти:
Нелетающие
Мфр:
Уинбонд Электроника
Размер памяти:
2Gbit
Напряжение - питание:
2.7V ~ 3.6V
Время доступа:
20 нс
Пакет / чемодан:
63-VFBGA
Организация памяти:
256 м х 8
Операционная температура:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Технологии:
Flash - NAND (SLC)
Номер базовой продукции:
W29N02
Формат памяти:
Вспышка
Введение
Flash - NAND (SLC) Память IC 2Gbit ONFI 20 ns 63-VFBGA (9x11)
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
W97AH6NBVA1E ТР
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I ТР
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG ТР
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I ТР
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 ТР
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E ТР
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I ТР
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512ГВЕЙГ
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
W979H6KBVX2I ТР
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
W97AH6NBVA1E ТР |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I ТР |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG ТР |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I ТР |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 ТР |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E ТР |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I ТР |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W25N512ГВЕЙГ |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W979H6KBVX2I ТР |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
|
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: