Дом > продукты > Память > R1LP5256ESA-5SI#S1

R1LP5256ESA-5SI#S1

производитель:
RENESAS
Описание:
R1LP5256 - 256Kb продвинутая LPSRAM
Категория:
Память
Спецификации
Категория:
Интегрированные схемы (IC) Память Память
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Насыщенные
Серия:
R1LP5256E
Интерфейс памяти:
Параллельно
Напишите время цикла - слово, страница:
55 нс
Пакет изделий поставщика:
28-TSOP I
Тип памяти:
Летучие
Мфр:
RENESAS
Размер памяти:
256 Кбит
Напряжение - питание:
4.5V ~ 5.5V
Пакет / чемодан:
28-TSSOP (0,465 дюйма, ширина 11,80 мм)
Организация памяти:
32K x 8
Операционная температура:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Технологии:
SRAM - асинхронная
Время доступа:
55 нс
Формат памяти:
SRAM
Введение
SRAM - Асинхронная память IC 256Kbit Parallel 55 ns 28-TSOP I
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
Изображение Часть # Описание
качество [#varpname#] завод

ХН58C256AP10E

HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
качество [#varpname#] завод

UPD48576236F1-E18-DW1-A

IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
качество [#varpname#] завод

UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A

IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
качество [#varpname#] завод

R1LV0108ESA-5SI#B1

R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
качество [#varpname#] завод

R1LV1616HSA-5SI#B1

R1LV1616HSA - Wide Temperature R
качество [#varpname#] завод

HN58C257AT85E

HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
качество [#varpname#] завод

М5М5В108ДВП-70Х#БТ

STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
качество [#varpname#] завод

R1WV6416RBG-5SI#B0

R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
качество [#varpname#] завод

ХН58В66АТИ10Е

HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
качество [#varpname#] завод

R1RW0416DSB-2PI#D1

R1RW0416D-I - Wide Temperature R
качество [#varpname#] завод

R1LP5256ESA-5SI#B1

R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
качество [#varpname#] завод

UPD48288236AF1-E24-DW1-A

IC DRAM 288MBIT HSTL 144TFBGA
качество [#varpname#] завод

М5М5В108ДКВ-70ХИСТ

STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
качество [#varpname#] завод

UPD48576118F1-E18-DW1-A

IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: