Дом > продукты > Память > UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A

UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A

производитель:
RENESAS
Описание:
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
Категория:
Память
Спецификации
Категория:
Интегрированные схемы (IC) Память Память
Размер памяти:
576 Мбит
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
DigiKey программируемый:
Не подтверждено
Интерфейс памяти:
HSTL
Напишите время цикла - слово, страница:
-
Пакет изделий поставщика:
144-TFBGA (11x18.5)
Тип памяти:
Летучие
Мфр:
RENESAS
Частота работы часов:
400 МГц
Напряжение - питание:
1.7V ~ 1.9V
Пакет / чемодан:
144-TBGA
Организация памяти:
64м х 9
Операционная температура:
0°C | 95°C (TC)
Технологии:
LLDRAM
Номер базовой продукции:
UPD48576209
Формат памяти:
DRAM
Введение
Память LLDRAM IC 576Mbit HSTL 400 MHz 144-TFBGA (11x18.5)
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
Изображение Часть # Описание
качество [#varpname#] завод

ХН58C256AP10E

HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
качество [#varpname#] завод

UPD48576236F1-E18-DW1-A

IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
качество [#varpname#] завод

R1LV0108ESA-5SI#B1

R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
качество [#varpname#] завод

R1LV1616HSA-5SI#B1

R1LV1616HSA - Wide Temperature R
качество [#varpname#] завод

HN58C257AT85E

HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
качество [#varpname#] завод

М5М5В108ДВП-70Х#БТ

STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
качество [#varpname#] завод

R1WV6416RBG-5SI#B0

R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
качество [#varpname#] завод

ХН58В66АТИ10Е

HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
качество [#varpname#] завод

R1LP5256ESA-5SI#S1

R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
качество [#varpname#] завод

R1RW0416DSB-2PI#D1

R1RW0416D-I - Wide Temperature R
качество [#varpname#] завод

R1LP5256ESA-5SI#B1

R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
качество [#varpname#] завод

UPD48288236AF1-E24-DW1-A

IC DRAM 288MBIT HSTL 144TFBGA
качество [#varpname#] завод

М5М5В108ДКВ-70ХИСТ

STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
качество [#varpname#] завод

UPD48576118F1-E18-DW1-A

IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: