R1WV6416RBG-5SI#B0
![качество [#varpname#] завод](/images/load_icon.gif){kind=icon}
производитель:
RENESAS
Описание:
R1WV6416RBG-5SI - SRAM малой мощности
Категория:
Память
Спецификации
Категория:
Интегрированные схемы (IC)
Память
Память
Статус продукта:
Старый
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Насыщенные
Серия:
-
Интерфейс памяти:
Параллельно
Напишите время цикла - слово, страница:
55 нс
Пакет изделий поставщика:
48-TFBGA (8,5x11)
Тип памяти:
Летучие
Мфр:
RENESAS
Размер памяти:
64 Мбит
Напряжение - питание:
2.7V ~ 3.6V
Пакет / чемодан:
48-TFBGA
Организация памяти:
4M x 16, 8M x 8
Операционная температура:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
Технологии:
SRAM - асинхронная
Время доступа:
55 нс
Формат памяти:
SRAM
Введение
SRAM - Асинхронная память IC 64Mbit Parallel 55 ns 48-TFBGA (8.5x11)
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
ХН58C256AP10E
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
UPD48576236F1-E18-DW1-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
М5М5В108ДВП-70Х#БТ
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
ХН58В66АТИ10Е
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
R1LP5256ESA-5SI#S1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
R1RW0416DSB-2PI#D1
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
ХН58C256AP10E |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
UPD48576236F1-E18-DW1-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
R1LV0108ESA-5SI#B1 |
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1LV1616HSA-5SI#B1 |
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
|
|
|
|
HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
М5М5В108ДВП-70Х#БТ |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
|
|
|
|
ХН58В66АТИ10Е |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
|
|
|
|
R1LP5256ESA-5SI#S1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1RW0416DSB-2PI#D1 |
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
|
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: