W632GG6NB15I
![качество [#varpname#] завод](/images/load_icon.gif){kind=icon}
производитель:
Уинбонд Электроника
Описание:
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
Категория:
Память
Спецификации
Категория:
Интегрированные схемы (IC)
Память
Память
Размер памяти:
2Gbit
Статус продукта:
Активный
Тип установки:
Поверхностный монтаж
Пакет:
Поднос
Серия:
-
DigiKey программируемый:
Не подтверждено
Интерфейс памяти:
Параллельно
Напишите время цикла - слово, страница:
15 нс
Пакет изделий поставщика:
96-VFBGA (7,5x13)
Тип памяти:
Летучие
Мфр:
Уинбонд Электроника
Частота работы часов:
667 МГц
Напряжение - питание:
1.425V | 1.575V
Время доступа:
20 нс
Пакет / чемодан:
96-VFBGA
Организация памяти:
128M x 16
Операционная температура:
-40 °C ~ 95 °C (TC)
Технологии:
SDRAM - DDR3
Номер базовой продукции:
W632GG6
Формат памяти:
DRAM
Введение
SDRAM - DDR3 Память IC 2Gbit Параллельная 667 MHz 20 ns 96-VFBGA (7,5x13)
СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ
W29N02KVBIAE ТР
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E ТР
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I ТР
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG ТР
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I ТР
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 ТР
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E ТР
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I ТР
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512ГВЕЙГ
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
| Изображение | Часть # | Описание | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE ТР |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E ТР |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I ТР |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG ТР |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I ТР |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 ТР |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E ТР |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I ТР |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W25N512ГВЕЙГ |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
Отправьте RFQ
Запасы:
МОК: